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181505-高熵合金AlCrNbSiTiV 氮化物薄膜溅镀参数的优化

日期:2018-08-31     浏览:131    下载:0     体积:810.49K     评论:0    


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 摘要:以AlCrNbSiTiV 为靶材,用反应式磁控溅镀系统分别在住友BNX20 刀具和硅晶片上沉积高熵合金氮化物(AlCrNbSiTiV)N薄膜。采用田口方法的L9(34)正交表考察了沉积时间、基材偏压、溅射功率和基材温度对沉积速率、薄膜硬度和刀具寿命的影响,通过方差分析(ANOVA)确定了影响各性能的主要因素。对信噪比(S/N)进行灰关联分析以实现多目标优化,得出最佳工艺参数为:沉积时间20 min,基材偏压−100 V,溅射功率250 W,基材温度400 °C。在该条件下,沉积速率为17.28 nm/min,薄膜硬度达到2 814 HV,刀具寿命2.50 m。
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