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192104-电弧离子镀/磁控溅射复合真空退火制备Ti2AlC 涂层

2019-11-28 1701 1.16M 0
 摘要:采用自主研发的大弧源技术,复合中频磁控溅射石墨靶,避免H 元素的引入,在锆合金表面快速沉积了致密、超厚(约20 μm)的Ti–Al–C 涂层。经过不同温度(550、650、750 和850 C)和时间(1、2 和3 h)的真空退火后发现,至少在650 C 才能获得Ti2AlC 结构,更高的温度会加速Ti2AlC 的生成。高温沉积对制备Ti2AlC 相涂层而言是必备的。


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