201811581213.2-一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法
2020-11-05
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0 本发明提供一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法，镀金液包括4‑10g/L的水溶性金盐、12‑20g/L的pH缓冲剂、4‑8g/L的络合剂、30‑45g/L的掩蔽剂和水，镀金方法包括使用上述镀金液对半导体芯片进行镀金，镀镍金的方法包括半导体芯片表面预处理；镀镍；使用上述半导体芯片的镀金方法进行镀金；烘干。该镀金液溶液稳定，镀金方法及镀镍金方法操作简单，镀金过程速率均匀，金层结合力强，芯片镀金层厚度均一。
