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201811581213.2-一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

2020-11-05 880 0.58M 0
 本发明提供一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法,镀金液包括4‑10g/L的水溶性金盐、12‑20g/L的pH缓冲剂、4‑8g/L的络合剂、30‑45g/L的掩蔽剂和水,镀金方法包括使用上述镀金液对半导体芯片进行镀金,镀镍金的方法包括半导体芯片表面预处理;镀镍;使用上述半导体芯片的镀金方法进行镀金;烘干。该镀金液溶液稳定,镀金方法及镀镍金方法操作简单,镀金过程速率均匀,金层结合力强,芯片镀金层厚度均一。


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