201811326423.7-一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺
2020-11-05
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0 本发明提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺，包括取电子元器件，用盐酸浸泡后，清洗，化学抛光，清洗，中和，装夹，清洗，除油；活化，去离子水清洗；冲击镀镍，冲击镀镍温度为(10～30)℃，电流密度为(1～8)A/dm2；电镀镍，电镀镍温度为(40～55)℃，电流密度为(0.1～1)A/dm2；回收，去离子水清洗，活化；镀金(带电下槽)，镀金温度为(38～45)℃，电流密度为(0.1～0.3)A/dm2；回收，去离子水清洗，卸夹，脱水，干燥；热处理，后处理，即可。本发明工艺中镀镍层上镀金层结合力好，镀层性能好。
