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201811326423.7-一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺

2020-11-05 850 0.79M 0
 本发明提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺,包括取电子元器件,用盐酸浸泡后,清洗,化学抛光,清洗,中和,装夹,清洗,除油;活化,去离子水清洗;冲击镀镍,冲击镀镍温度为(1030)℃,电流密度为(18)A/dm2;电镀镍,电镀镍温度为(4055)℃,电流密度为(0.11)A/dm2;回收,去离子水清洗,活化;镀金(带电下槽),镀金温度为(3845)℃,电流密度为(0.10.3)A/dm2;回收,去离子水清洗,卸夹,脱水,干燥;热处理,后处理,即可。本发明工艺中镀镍层上镀金层结合力好,镀层性能好。


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