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202310-集成电路铜膜化学机械抛光台阶高度修正能力的研究

2020-12-29 140 1.25M 0
 摘要:为了有效提高集成电路铜布线层铜膜在化学机械抛光(CMP)过程中的台阶高度修正能力,在由胶体二氧化硅(平均粒径为100 nm)0.5%(质量分数)、甘氨酸2%(质量分数)和FAOA 非离子表面活性剂5mL/L 组成的基础碱性抛光液(pH = 8.5)中加入不同质量分数的H2O2 和1,2,4−三氮唑(TAZ)。研究了H2O2 和TAZ 的配比对铜膜CMP 台阶高度修正能力的影响。结果表明,H2O2 过量时,不仅不利于提高铜膜表面台阶高度修正能力,反而会起到反作用。适当增大TAZ 的用量则对台阶高度的修正能力有积极的效果。含0.3% H2O2 和0.003% TAZ 的抛光液对铜膜表面台阶高度的修正能力高达1 186 Å,效果最佳。


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