摘要：研究了不同浓度的高碘酸钾(KIO4)和配位剂柠檬酸钾对Cu 和Ta 的去除速率及腐蚀电位差的影响。由化学机械抛光(CMP)实验结果可知，随着KIO4 浓度的提高，Cu 的去除速率一直上升，而Ta 的去除速率先上升后下降。在pH 为10 的情况下，当柠檬酸钾为30 mmol/L，KIO4 为3 mmol/L 时，Cu 和Ta 的去除速率分别为31.3 nm/min 和58.8 nm/min。柠檬酸钾与KIO4 的协同作用能够明显提高Ta 的去除速率，有利于更好地实现Cu 和Ta 去除速率的选择性，但此时Cu 和Ta 之间的腐蚀电位差高达186 mV。为了改善Cu 和Ta 抛光后的表面形貌，尝试加入表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)。当ADS 的添加量为15 mL/L 时，Cu 和Ta 的去除速率非常接近，分别为46.4 nm/min 和49.6 nm/min。模拟CMP 过程的动态电化学测试结果显示此时Cu 和Ta之间的腐蚀电位差只有11 mV，表明加入ADS 能够较好地减轻Cu 和Ta 之间的电偶腐蚀。
