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锌·镍·铜
202312-活化过硫酸钾氧化法对提高钌CMP 去除速率的作用
2020-12-29
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摘要:针对Cu 互连集成电路中新型阻挡层金属材料钌(Ru)在化学机械抛光(CMP)中去除速率低的问题,在SiO2–KIO4 体系抛光液中研究了硫酸钾(K2SO4)、硝酸钾(KNO3)和过硫酸钾(K2S2O8)对钌去除速率的影响。结果表明,在钾离子浓度相同的条件下,3 种钾盐都可以提高Ru 的去除速率,其中K2S2O8 的提升效果最明显,抛光后Ru 的表面粗糙度也最小。
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