202312-活化过硫酸钾氧化法对提高钌CMP 去除速率的作用

 摘要：针对Cu 互连集成电路中新型阻挡层金属材料钌(Ru)在化学机械抛光(CMP)中去除速率低的问题，在SiO2–KIO4 体系抛光液中研究了硫酸钾(K2SO4)、硝酸钾(KNO3)和过硫酸钾(K2S2O8)对钌去除速率的影响。结果表明，在钾离子浓度相同的条件下，3 种钾盐都可以提高Ru 的去除速率，其中K2S2O8 的提升效果最明显，抛光后Ru 的表面粗糙度也最小。