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210108-光催化氧化对GaN 材料腐蚀电化学及化学机械抛光的影响

2021-01-29 300 5.03M 0

摘要:考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH 的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN 在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN 材料的腐蚀速率进一步提高。CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN 在1% KBrO3 溶液(pH = 4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN 材料的抛光速率进一步提高。当KBrO3 质量分数为1%,pH = 4 时加入紫外光和0.2%(质量分数)SnO2,GaN 材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm。




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