摘要：以CeO2 为磨料配制抛光液，研究了磨料质量分数、pH 及添加剂对SiO2 介质去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明，在抛光液的磨料质量分数为1%，pH 为5 的条件下，SiO2 介质的去除速率为248.9 nm/min。向其中加入质量分数为1%的L-脯氨酸或0.075%的阴离子表面活性剂TSPE-PO(三苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚磷酸酯)后，SiO2 介质的去除速率分别提高至268.6 nm/min和302.5 nm/min，表面粗糙度(Rq)从原来的0.588 nm 分别变为0.601 nm 和0.522 nm。
