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211603-首饰基材表面反应磁控溅射 SiO2薄膜工艺

2021-09-10 460 1.55M 0

作者:袁军平,陈绍兴,金莉莉,代司晖,郭礼健


单位:广州番禺职业技术学院珠宝学院;深圳昊翀珠宝科技有限公司


摘要:采用反应磁控溅射工艺在 S950 首饰基材表面沉积防指纹用的 SiO2 薄膜,研究了氧气流量、氧气体积分数、溅射电流和沉积时间对沉积速率和薄膜化学组成的影响。结果表明,膜层沉积速率随着溅射电流增大而快速增加,随着氧气流量增加而先升后降,随着氧气体积占比增加而先略升后稳定,随着镀膜时间的延长而略降。膜层的氧硅原子比随着氧气流量增加而快速增加,随着氧气体积分数增加而略有增加,随着溅射电流以及沉积时间的增加而降低。













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