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212107-二氧化硅磨料粒径分布对蓝宝石化学机械抛光的影响

2021-11-22 201 4.72M 0

作者:孙运乾,钟荣峰,李薇薇 ,赵之琳,钱佳


单位:河北工业大学电子信息工程学院;广东惠尔特纳米科技有限公司


摘要:针对蓝宝石晶圆化学机械抛光(CMP)高去除速率和高抛光质量的要求,对比了分别采用单一粒径、连续粒径和混合粒径的 SiO2 磨料对蓝宝石晶圆的抛光效果。结果表明,将粒径为 120 nm 的 40%(质量分数)硅溶胶与粒径为 30 nm 的 20%(质量分数) 硅溶胶按体积比 8∶2 混合作为磨料对蓝宝石晶圆进行 CMP 时,去除速率最高,抛光后蓝宝石晶圆的表面粗糙度(Ra)低至 0.158 nm,无明显的划痕、划伤等缺陷。













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