220310-IC 铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA 吸附及去除的研究进展

作者：王静1, 2，高宝红1, 2, *，刘世桐1, 2，吴彤熙1, 2，檀柏梅1, 2

单位：1.河北工业大学电子信息工程学院，天津 300130；2.河北工业大学天津市电子材料与器件重点实验室，天津 300130

摘要：首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程，然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA 的研究进展，最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述。