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220707-抛光液组分对3D 微同轴中铜和光刻胶

2022-05-13 580 1.21M

作者:李森,王胜利,李红亮,王辰伟,雷双双,刘启旭

单位:河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130;天津市计量监督检测科学研究院,天津 300192

摘要:研究了碱性抛光液的pH、SiO2 磨料质量分数、H2O2 体积分数和甘氨酸质量分数对3D 微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO2 5%,H2O2 20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH = 10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D 微同轴加工对铜和光刻胶CMP 去除速率选择性的要求。













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