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222309-不同粒径SiO2 磨料混合对钴化学机械抛光的影响

2022-12-22 320 1.6M

作者:郭峰1, 2,王胜利1, 2, *,王辰伟1, 2,张月1, 2,王强1, 2,刘光耀1, 2

单位:1.河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;2.天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130

摘要:针对钴互连化学机械抛光(CMP)高去除速率的要求,提出将不同粒径的SiO2 组合作为磨料进行CMP。对比了使用单一粒径与混合粒径SiO2 磨料对钴去除速率的影响。结果表明,使用单一粒径磨料时,随着磨料粒径由40 nm 增大到130 nm,钴的去除速率先增大后减小,SiO2 粒径为100 nm 时钴的去除速率最高,达到了447 nm/min。将两种不同粒径的SiO2 磨料混合使用能够显著提高钴的去除速率。将粒径为40 nm 和100 nm 的SiO2 磨料按质量比3∶1 混合使用时,钴的去除速率最高,达到了563 nm/min,抛光后钴的表面粗糙度(Sq)约为1.05 nm。

关键词:钴;化学机械抛光;二氧化硅;粒径;去除速率;表面粗糙度

DOI: 10.19289/j.1004-227x.2022.23.009














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