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170904-电化学Fe掺杂增强FTO薄膜的可见光光电化学性能

   日期:2017-06-15     作者:肖仕清,郝丽华等    浏览:1051    评论:0    
核心提示:DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.09.004摘要:通过在FeSO4溶液中将FTO(F掺杂SnO2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500 C空气中热
 DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.09.004


摘要:通过在FeSO4溶液中将FTO(F掺杂SnO2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500 °C空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性。在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH 溶液中零偏压下的光电流−时间曲线。结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO2和四方结构SnO2两种物相。Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5 μA/cm2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019 μA/cm2)显著增强。

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