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170905-铜−二氧化硅凝胶薄膜的电化学制备及其光学性能

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-06-15  作者:冯砚艳,王星星等  浏览次数:3232
核心提示:DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.09.005摘要:以CuCl22H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+SiO2复合溶胶。采
 DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.09.005

摘要:以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+–SiO2复合溶胶。采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜。采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外−可见光谱测试了薄膜的线性光学性能。结果表明,控制电位在−0.24 ~ 0.2 V和负于−0.24 V (相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+–SiO2和Cu–SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 eV,略高于后者的1.92 eV。由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu–SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400 ~ 500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰。

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