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171101-纯锡镀层锡须生长机理及聚氯代对二甲苯膜抑制效果研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-07-18  作者:李其海,陈玮玮等  浏览次数:772
核心提示:DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.11.001摘要:以无铅器件及无铅引线框架为研究对象,采用扫描电镜、能谱分析了纯锡镀层锡须生长
 DOI: 10.19289/j.1004-227x.2017.11.001

 

摘要:以无铅器件及无铅引线框架为研究对象,采用扫描电镜、能谱分析了纯锡镀层锡须生长机理。采用化学气相沉积(CVD)法在样品表面镀聚氯代对二甲苯(PC)膜,研究了PC膜对锡须生长的抑制效果。结果表明:Cu/Sn界面处金属间化合物(IMC)易于向Sn晶界处生长,使得原位体积增加44.8%,因此界面处会产生较大压应力。此压应力会随着镀层/基体界面IMC层的不规则形成而增大。在压应力的作用下,Sn被挤出,从而形成锡须。PC膜对锡须的生长具有明显的抑制作用,且随着PC膜厚度的增大,锡须生长变慢,孕育期更长。5 μm厚的PC膜能有效抑制锡须生长。

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