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专利推荐·镀金12条丨无氰镀金、半导体芯片的镀金液、无氰亚硫酸盐体系电镀金、纯镍镀金

   2020-11-05 360
核心提示:专利推荐一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液的制备方法申请号202010107186.6申请人厦门大学本发明公开了一种复合配位低浓度
 
 

专利推荐


一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液的制备方法

申请号     202010107186.6     

申请人  厦门大学

本发明公开了一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液和制备方法。该电镀液的pH为8.0~11.5,直接以稳定、方便易购的氯金酸为主盐来源,还包括主配位剂、复合配位剂Ⅰ、复合配位剂Ⅱ、缓冲剂、光亮剂和润湿剂。本发明采用复合配位方式对一价金进行辅助配位,不仅提高了一价金无氰镀金电镀液的稳定性和稳定放电点位区间,而且显著降低镀液中的亚硫酸盐浓度,避免镀层中硫的夹杂,获得的金镀层外观光亮金黄、与基底结合力良好,适合于装饰性镀金;且本发明镀液配制过程简单、条件温和,镀液稳定。

一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法

申请号       201811581213.2

申请人  天津环鑫科技发展有限公司

本发明提供一种用于半导体芯片的镀金液、镀金方法及镀镍金方法,镀金液包括4‑10g/L的水溶性金盐、12‑20g/L的pH缓冲剂、4‑8g/L的络合剂、30‑45g/L的掩蔽剂和水,镀金方法包括使用上述镀金液对半导体芯片进行镀金,镀镍金的方法包括半导体芯片表面预处理;镀镍;使用上述半导体芯片的镀金方法进行镀金;烘干。该镀金液溶液稳定,镀金方法及镀镍金方法操作简单,镀金过程速率均匀,金层结合力强,芯片镀金层厚度均一。


一种无氰镀金铜合金电镀液及其应用

申请号       201911145341.7

申请人  长春黄金研究院有限公司

本发明涉及一种无氰镀金铜合金电镀液及其应用,涉及轻工、化工材料的技术领域。由如下质量浓度的原料组成的:氯化胆碱500‑600g/L,尿素400‑500g/L,金的无机盐4‑10g/L,铜的无机盐80‑120g/L,络合剂5‑20g/L,配位剂2‑60g/L,镀金铜合金添加剂体系3‑40g/L。本发明的优点在于镀液具有较高稳定性、深镀能力良好,电流效率高,镀层光亮、细致,结合牢固,镀层硬度好。能够满足贵金属材料的性能要求,具有一定工业应用前景和较好的经济效益和社会效益。


一种无氰镀金电镀液及其电镀工艺

申请号       202010532261.3

申请人  山东鲁蓝环保科技有限公司

本发明公开一种无氰镀金电镀液及其电镀工艺,属于电镀技术领域。本发明电镀液包括主配位剂30‑120g/L、导电盐10‑150g/L、碳酸盐20‑80g/L、其他添加剂0.1‑15g/L、四氯金酸1‑20g/L、稳定剂0.1‑1.0g/L。本发明海因衍生物作为主配位剂,辅以亚硫酸盐或酒石酸盐作为导电盐,再加入稳定剂,本发明稳定剂在电镀过程中,其可有效吸附络合金离子,大幅提升镀液的稳定性,同时可以促进金离子与海因衍生物的有效配位,有效提升了电镀效率。本发明镀液所得镀金层结晶细致,结合力、耐蚀性良好,镀液无毒、稳定性、分散能力和覆盖能力良好。本发明镀金液可取代氰化物镀金液,具有广阔的发展前景。


镀金方法及镀覆膜

申请号       202010280356.0

申请人  上村工业株式会社

本发明提供镀金方法及镀覆膜,其防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低。另外,提供一种即使减少镀金覆膜的膜厚也能防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的镀金方法及镀覆膜。一种镀金方法,其特征在于,其是在铜或铜合金覆膜上使用银催化剂进行镀覆的、用于引线键合连接的镀金方法,所述方法包括:银催化剂形成工序,其中,为了形成钯覆膜而形成作为银催化剂的银覆膜;钯覆膜形成工序,其中,在所述银催化剂上形成钯覆膜;以及,镀金覆膜形成工序,其中,在在所述钯覆膜上形成镀金覆膜,所述银覆膜的膜厚为0.05μm~0.5μm。


一种电子产品镀金工艺

申请号       201911363658.8

申请人  苏州普瑞得电子有限公司

本发明公开了一种电子产品镀金工艺。包括:将产品整体镀金,镀金层厚度为0.5‑1um;通过治具对产品正面镀金区域进行点镀;通过治具对产品反面镀金区域进行点镀等步骤。该镀金工艺在一般的镀金工艺中增加了预先产品整体镀金和点镀后局部剥金的步骤,能够避免一般做法中反面电镀区域产生置换金,避免金脱皮的情况出现,能够提高镀金层的结合力。


无氰亚硫酸盐体系电镀金液及电镀方法

申请号       202010157297.8

申请人  中国工程物理研究院激光聚变研究中心

本发明提供一种无氰亚硫酸盐体系电镀金液及电镀方法,该无氰亚硫酸盐体系电镀金液由亚硫酸金盐、亚硫酸碱金属盐、柠檬酸盐、磷酸盐、导电盐、掩蔽剂、有机添加剂、有机胺组成,该电镀方法包括如下步骤:S1:利用有机胺对无氰亚硫酸盐体系电镀金镀液的pH值进行调节;S2:采用脉冲直流电源恒电流方式得到电镀金层。本发明提供的无氰亚硫酸盐镀金溶液具有含金量高,成分简单,性质稳定,pH值波动范围小,较好的覆盖能力,较高的阴极电流密度。特别适用于厚金层制备,电镀金层大于200微米且保持光亮。


一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺

申请号       201811326423.7

申请人  贵州振华群英电器有限公司(国营第八九一厂)

本发明提供了一种电子元器件零件镀镍打底后无氰镀金的工艺,包括取电子元器件,用盐酸浸泡后,清洗,化学抛光,清洗,中和,装夹,清洗,除油;活化,去离子水清洗;冲击镀镍,冲击镀镍温度为(10~30)℃,电流密度为(1~8)A/dm2;电镀镍,电镀镍温度为(40~55)℃,电流密度为(0.1~1)A/dm2;回收,去离子水清洗,活化;镀金(带电下槽),镀金温度为(38~45)℃,电流密度为(0.1~0.3)A/dm2;回收,去离子水清洗,卸夹,脱水,干燥;热处理,后处理,即可。本发明工艺中镀镍层上镀金层结合力好,镀层性能好。


一种纯镍镀金高温导电丝及其制备方法

申请号       201811255748.0

申请人  深圳粤通应用材料有限公司

本发明公开了一种纯镍镀金高温导电丝,由以纯镍为主组分的镍芯材和表面厚度为0.2‑0.5μm的镀金层构成,所述的镍芯材中还包含有改善镀层结合性能的微量金属,镍芯材由以下按照重量份的原料制成:镍999500‑1000500份、钙4‑8份、镁1.5‑4份、铝2‑5份、锡1‑3份。本发明还公开了所述纯镍镀金高温导电丝的制备方法。与现有技术相比,本发明不仅具备一般高温导电丝的性质,如在高温条件下具有很高的强度,较高的导电性,适宜的线膨胀系数等,而且因为表面覆有致密均匀完整的镀金层,使导电丝更加的耐磨、抗腐蚀,更有利于焊接时的变形更加充分,提高拉断力及可靠性。


一种化学快速还原镀金液及其应用

申请号       201811126948.6

申请人  长沙理工大学

本发明属于化学镀金技术领域,具体涉及一种化学快速还原镀金液及其应用。包括以下浓度组分:水溶性金化合物(以Au计)0.5~1.5g/L,次亚磷酸钠5~20g/L,硫酸羟胺1~5g/L,柠檬酸三铵25~55g/L,乙二胺四乙酸二钠5~15g/L,氨基酸0.1~3.0g/L,巯基聚乙二醇‑R 0.001~0.02g/L,烷基溴化吡啶0.001~0.02g/L,木质磺酸盐0.001~0.005g/L,二甲基胺硼烷0.01~0.1g/L,酒石酸锗0.01~0.3g/L。该镀金液稳定性优异,沉积速率快,获得的镀金层表面平整,均匀、光亮且致密;且具有更好的抗腐蚀性以及镀锡回流和打金线性能。


一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺

申请号       201910485001.2

申请人  广东达志环保科技股份有限公司

本发明公开了一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺,所述无氰镀金电镀液包括如下组分:金盐、非氰络合剂、导电盐和光亮剂,所述非氰络合剂的分子中至少含有两个双键,且至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合。本发明的无氰镀金电镀液中,不含氰化物,环保无污染,镀液稳定性好,采用的络合剂分子中至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合,形成络合物时通过d‑π*形成至少两个π键,大大降低了金属离子的电子云密度,络合剂的络合能力强,镀层的光亮平整性好、分散性能佳。


应用于PCB上化学金钯金镀层的化学镀金液

申请号       201910684990.8

申请人  深圳市溢诚电子科技有限公司

本发明公开了一种应用于PCB上化学金钯金镀层的化学镀金液,包括主盐、配位剂、稳定剂、加速剂和pH缓冲剂,以质量浓度为单位,上述组分的比例为:主盐中的金浓度为:0.6‑1g/L;配位剂:1‑35g/L;稳定剂:1‑150mg/L;加速剂:0.1‑10ppm;pH缓冲剂:1‑25g/L;其余的组分为纯水;先加50%的水,在不断搅拌的过程中一次加入配位剂、稳定剂和加速剂、调整pH在6.2‑6.8的范围内,然后加入pH缓冲剂,最后加入金盐定容并形成化学镀金液。该镀金液能满足金钯金工艺中,前后两个金槽使用同一个体系镀金液的需求,本发明的镀金配方金沉积速率适中,稳定性好,普遍可以达到10MTO以上,且可获得焊盘表面平整、光亮致密、无色差的金镀层。

 

 

 
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